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Revista Ingeniantes 2018 Año 5 No. 2 Vol. 2

Tabla 2. Parámetros de desempeño de la estructura ITO/         Tabla 3. Valor de parámetros eléctricos para ajuste de cur-
P3HT:PCBM /Al                                                  vas V-I

Espesor  Voc Isc                FF ɳ (%)                           Espesor    Rs       Rp Io    IPh n
                                                                                       KΩ nA    mA
P3HT:PCBM (V) (mA)                                                 P3HT:PCBM Ω

50 nm    0.6              0.14  0.65  0.70                         50 nm      15 65 8           0.14 2.5
100 nm   0.6              0.19  0.58  0.86                         100 nm
150 nm   0.58             0.17  0.48  0.70                                    64 45 50 0.19 2.9

                                                                   150 nm     130 10 10 0.17 2.8

a) 50 nm película activa                                       Para determinar los parámetros eléctricos de la es-
                                                               tructura se realiza un ajuste del modelo teórico de
                                                               la corriente a los datos experimentales, utilizando la
                                                               ecuación 3, figura 5. Los parámetros eléctricos com-
                                                               pletos utilizados en el ajuste se muestran en la tabla 3.
                                                               Para concluir la estimación de Rs, se utiliza el proce-
                                                               dimiento de cálculo de resistencias a altas intensida-
                                                               des de iluminación, ecuación 4. Primero se mide la
                                                               pendiente inversa en el punto geométrico de circuito
                                                               abierto para determinar Roc, y después sustituyendo
                                                               los parámetros restantes encontrados en la tabla 3,
                                                               es posible calcular los valores de Rs. Los resultados
                                                               se muestran en la tabla 4.

                                                               Tabla 4. Cálculo de Rs a partir de Roc.

                                                                              Estimación    Cálculo
                                                                              experimental

                                                                   Espesor    Roc (Ω)       Rs (Ω)
                                                                   P3HT:PCBM

                                                                   50 nm      429           NA
                                                                   100 nm     444           75
                                                                   150 nm     682           NA

b) 100 nm película activa                                      Los valores de Rs para las estructuras con película
                                                               activa de 50 y 100 nm no son coherentes a los va-
c) 150 nm película activa                                      lores reales de resistencias. La posible explicación
Figura 5. Ajuste de curvas V-I experimentales mediante el mo-  está en las condiciones de altas intensidades de ilu-
delo teórico de celda solar.                                   minación del modelo de la ecuación 4, el cual está
                                                               planteado para iluminación hasta 8 veces con mayor
                                                               intensidad. Un caso singular es la estructura con un
                                                               espesor de 100 nm en la película activa, que presen-
                                                               ta un resultado coherente y semejante al encontrado
                                                               del ajuste. Esto posiblemente debido a una alta con-
                                                               centración del campo de intensidad de iluminación
                                                               en este especifico espesor. Donde las investiga-
                                                               ciones reportadas en la literatura (3) demuestran un
                                                               rango cercano a 100nm con altas concentraciones
                                                               de campo de iluminación. Por lo tanto, esta muestra
                                                               cumple con esta condición.
                                                               La figura 6 muestra la dependencia del espesor de
                                                               la película activa en función de la Rs de la estructura

                                                               80
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